怎样检测可控硅模块

好一点小编带来了怎样检测可控硅模块，希望能对大家有所帮助，一起来看看吧！

单向可控硅用万用表测量好坏

用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。

正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结，有明显的正、反向电阻的差异。

这种测量方式是有局限性的，当A、K之间已呈故障开路状态时，则无法测出好坏。有的G、K间电阻值极小，也难以判别两控制极是否已经短路

如阴极A接黑表笔，阴极K接红表比时，万用表的指针发生偏转，就说明这单向可控硅已经遭到损坏。

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，

当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1

表1 可控硅导通和关断条件

状态 条件 说明

从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位

2、控制极有足够的正向电压和电流

两者缺一不可

维持导通 1、阳极电位高于阴极电位

2、阳极电流大于维持电流

两者缺一不可

从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位

2、阳极电流小于维持电流

任一条件即可

2、基本伏安特性

1）反向特性

当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向击穿。

（2）正向特性

当控制极开路，阳极上加上正向电压时），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压

由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。

这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，

3、触发导通

在控制极G上加入正向电压时因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

组装材料与用途不同。

MTC模块采用进口SKKT晶闸管模块组装而成，用于可控整流、逆变、调压、无触点开关等方面。MTC模块采用整流管及混合模块组装而成，用于感应加热、斩波器等方面。

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块。最早是在1970年将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

MFC可控硅模块的四大作用:

MFC可控硅模块的作用一：可控整流作用

MFC可控硅模块的作用之二就是可控整流，这也是MFC可控硅最基本也最重要的作用。大家所熟知的二极管整流电路只可完成整流的功能，并没有实现可控，而一旦把二极管换做可控硅，便构成了一个可控整流电路。在一个最基本的单相半波可控整流电路中，当正弦交流电压处于正半周时，只有在控制极外加触发脉冲时，可控硅才被触发导通，负载上才会有电压输出，因此可以通过改变控制极上触发脉冲到来的时间，来进一步调节负载上输出电压的平均值，达到可控整流的作用。

MFC可控硅模块的作用三：用作无触点开关

MFC可控硅模块的作用之三就是用作无触点开关，经常用于自动化设备中，代替通用继电器，具有无噪音、寿命长的特点。

MFC可控硅模块的作用四：开关和调压作用

MFC可控硅模块的作用之四就是起到开关和调压的作用，经常应用于交流电路中，由于其被触发时间不同，因此通过它的电流只有其交流周期的一部分，通过它的电压只有全电压的一部分，因而起到调节输出电压的作用。

选择可控硅模块散热器必须要考虑的要素：

       1、可控硅模块工作电流的大小，决定着所需散热面积。

       2、可控硅模块的使用环境。根据使用环境散热条件来确定采取什么样的冷却方式，包括自然冷却、强迫风冷以及水冷等。

       3、装置的外形、体积、给散热预留空间的大小，根据这个情况来确定采用什么形状的散热器

当然，为了保证选出的散热器能够满足实际需要，还要学会计算散热器的长度以及面积，一般来说，在选购可控硅模块时，特性表上都会标明所需散热面积

       可控硅模块所需散热面积=（散热器周长）×（散热器长度）＋（截面积）×2

封装MTC可控硅模块好处：

1、使得MTC可控硅模块的芯片能够与外部系统实现可靠的信号传输，从而保证了信号的完整性。

2、保护芯片，通过封装能够有效保护芯片不受外界因素影响而受损，不会因为外界条件的变化而导致芯片不能正常工作，这也为更好的使用MTC可控硅模块奠定了坚实的基础。

3、将芯片在工作中产生的热能通过封装外壳散播出去，从而有效保证了MTC可控硅模块的芯片温度能够保持在较高额度之下，不至于因为温度过高而性能下降。

4、封装后，MTC可控硅模块的芯片会通过外引出线或者是引脚与外部系统有方便和可靠的电连接，更安全，更放心。

1、单向可控硅的检测。

万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

2、双向可控硅的检测。

用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。

晶闸管管脚的判别可用下述方法：

先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。

可控硅模块的一切元器件采用模块化规划，减小装置体积，并经过控制板监控可控硅模块运转状况，保证模块牢靠运转。但是，却是它的负荷才能因电压巨细而异的。主要有：

1、可控硅模块能在1.1倍额定电压下长期运行。

2、可控硅模块在1.15倍额定电压下每24H中运行30MIN。

3、可控硅模块在1.2倍额定电压下每月中运行2次每次5MIN。

4、可控硅模块在1.3倍额定电压下每月中运行2次每次1MIN。

5、可控硅模块成套装置能在有效值为1.3倍额定电流下连续运行。

1、防止反向电动势冲击单向可控硅模块，导致损坏。

2、可控硅模块又叫晶闸管(Silicon Controlled rectifier, SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。

3、二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。

可控硅工作原理：可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.你这个是杭州国晶的产品，质量挺好的。它的功用不仅是整流,还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等.可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点.它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件.

以上就是好一点整理的怎样检测可控硅模块相关内容，想要了解更多信息，敬请查阅好一点。