氧化镓是什么概念

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氧化镓是一种无机化合物，化学式为Ga₂O₃。别名三氧化二镓，是一种宽禁带半导体，Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga₂O₃是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作O₂化学探测器。

氧化镓

强调氧化镓的公司的概念股票就是氧化镓概念股。第三代半导体的火爆，就是因为新的材料体系可以在高压、大功率情况下采用单极器件，即使用SiC MOSFET、GaN HEMT、Ga2O3 FET，取代硅基的IGBT，除了产品可靠性、电流能力、成本下降空间尚需要一定时间验证外，几乎全面实现了前面所提到功率器件发展的所有诉求。氧化镓在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。这些是氧化镓的传统应用领域，而其在未来的功率、特别是大功率应用场景才是更值得期待的。
拓展资料:
氧化镓的用途:
1、 氧化镓并不是很新的技术，多年前就有公司和研究机构对其在功率半导体领域的应用进行钻研，但就实际应用场景来看，过去不如SiC和GaN的应用面广，所以相关研发工作的风头都被后二者抢去了。而随着应用需求的发展愈加明朗，未来对高功率器件的性能要求越来越高，这使得人们更深切地看到了氧化镓的优势和前景，相应的研发工作又多了起来，已成为美国、日本、德国等国家的研究热点和竞争重点。而我国在这方面还是比较欠缺的。
2、 虽然氧化镓的导热性能较差，但其禁带宽度(4.9eV)超过碳化硅(约3.4eV)，氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV)的。由于禁带宽度可衡量使电子进入导通状态所需的能量。采用宽禁带材料制成的系统可以比由禁带较窄材料组成的系统更薄、更轻，并且能应对更高的功率，有望以低成本*出高耐压且低损失的功率元件。此外，宽禁带允许在更高的温度下操作，从而减少对庞大的冷却系统的需求。
3、 氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。这些是氧化镓的传统应用领域，而其在未来的功率、特别是大功率应用场景才是更值得期待的。
4、 氧化镓是一种新兴的功率半导体材料，其禁带宽度大于硅，氮化镓和碳化硅，在高功率应用领域的应用优势愈加明显。但氧化镓不会取代SiC和GaN，后两者是硅之后的下一代主要半导体材料。氧化镓更有可能在扩展超宽禁带系统可用的功率和电压范围方面发挥作用。而最有希望的应用可能是电力调节和配电系统中的高压整流器，如电动汽车和光伏太阳能系统。

中文同义词：三氧化二镓；;氧化镓(Ⅲ)；氧化镓, 99.999% (metaLS BASIS)；氧化镓, PURATRonIC|R, 99.999% (metaLS BASIS)；氧化镓, 99.995% (metaLS BASIS);氧化镓, 99.99% (metaLS BASIS)；氧化镓 (metaLS BASIS)；
英文同义词：GALLIUM SESQUIOXIDE;GALLIUM OXIDE;GALLIUM(III) OXIDE;GALLIUM(+3)OXIDE;Digallium trioxide;digalliumtrioxide;Ga2-O3;Gallia；
CAS号：12024-21-4；
EINECS号：234-691-7；
相关类别：Galliummetal and Ceramic Science;Oxides;Catalysis and Inorganic Chemistry;Chemical Synthesis;Gallium;metal oxide；
Mol文件：12024-21-4.mol
氧化镓(III)，即三氧化二镓，是镓的氧化物中最稳定的。在空气中加热金属镓使之氧化或在200-250℃时焙烧硝酸镓、氢氧化镓以及某些镓的化合物都可形成Ga2O3. Ga2O3 有五种同分异构体：α，β，γ，δ，ε，其中最稳定的是β-异构体，当加热至1000℃以上或水热条件（即湿法）加热至300℃以上时，所有其他的异构体都被转换为β-异构体。可采用各自不同的方法制得各种纯的异构体。
把金属镓在空气中加热至420～440℃；焙烧硝酸盐使之分解或加热氢氧化镓至500℃等都可制得α-Ga2O3。
快速加热氢氧化物凝胶至400～500℃可值得γ-Ga2O3，γ-Ga2O3具有缺陷的尖晶石结构。
在250℃加热硝酸镓然后在约200℃浸溃12小时，可制得δ-Ga2O3，它类似于In2O3、Tl2O3、Mn2O3和Ln2O3的C-结构。
在550℃短暂加热（约30分钟）δ-Ga2O3可制得ε-Ga2O3。
将硝酸盐、醋酸盐、草酸盐或其他镓的化合物以及Ga2O3的任意其他异构体加热至1000℃以上均可分解或转化为β-Ga2O3。

能避免氧化的材料被空气中的水和氧气氧化。由于氧化镓是一种无机化合物，因此在化学实验中经常会通入氮气，这样的话，里面有可能会氧化的材料能避免被空气中的水和氧气氧化。氧化镓别名三氧化二镓，是一种宽禁带半导体，Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。

氧化镓和氨水反应：氧化镓不可以溶于氨水。氧化镓是一种白色胶状物。两性氢氧化物，酸性强于碱性。难溶于水，易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸。可由镓（III）盐溶液与氨水反应，控制PH值为3.2时能得到氢氧化镓沉淀，再经干燥制得。

1.向三氯化镓GaCl3的热水溶液中加NaHCO3的高浓热水溶液，煮沸到镓的氢氧化物全部沉淀出来为止。用热水洗涤沉淀至没有Cl-为止，在600℃以上煅烧则得到β-Ga2O3。残留NH4Cl时，在250℃就和Ga2O3反应，生成挥发性GaCl3。
2.这是高纯Ga2O3的制法。以高纯金属Ga为阳极，溶解于5%～20%H2SO4溶液里，向溶液加氨水，冷却，将Ga(NH4)(SO4)2反复结晶，在105℃干燥，在过量氧的条件下在800℃灼烧2h，则得到纯度为9999%～99.9999%的产品。
3.称取1kg99.9999%的高纯镓放入三颈烧瓶中，加入高纯硝酸，使镓全部溶解，然后过滤，滤液倒入三颈烧瓶中，移至电炉上蒸发（在通风橱中进行），浓缩到接近结晶时，将溶液移置于大号蒸发皿中蒸发至干。将蒸干的Ga（NO3）3放在马弗炉中进行灼烧，温度控制在550℃，灼烧5h，待冷却后取出成品，得1.2kg高纯氧化镓。

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